4.3. Az alagút dióda

iDevice ikon

Egy nagyértékben szennyezett P++N++ -átmenetből áll. A félvezetőréteg erős szennyezése miatt már kis záró irányú feszültségek esetén is kis ellenállású állapotba kerül. Nyitóirányú polarizálás esetén jelleggörbéjén egy negatív jelleggörbe tartomány is kialakul.

 


 

UP= kb. 50-100mV és UV= kb. 0,5-0,9 V. 

 

 

A karakterisztikának ez a része a kvantummechanikai alagúthatás következménye. A jelleggörbe P és V pontja között a dióda differenciális ellenállások negatív előjelet vesz fel. Ezt a jelenséget nagyon előnyösen használhatják ki rezgőkörök csillapításának megszüntetésére. Megfelelő hatásfok elérése érdekében főleg magas frekvencián (1-100 GHz) alkalmazzák detektálásra, rezgéskeltésre és erősítésre.